點擊咨詢產品高溫動態柵偏老化測試系統(DHTGB2010)
該系統針對第三代SiC MOSFET具有動態柵偏老化測試能力，每塊試驗區可獨立老化測試12工位，獨立12路可配置脈沖，測試柵極漏電流相互之間不干擾。可為器件提供室溫~200°C的試驗溫度。具有試驗器件短路脫離試驗功能，可自動將故障器件脫離老化試驗回路，不影響其他器件的正常試驗。
功能
- 高速dv/dt>1V/ns
- nA級漏電流測試
- 閥值電壓測試
- 可根據不同器件封裝、功率等要求，定制專用老化測試板
- 充分的實驗員人體安全考慮設定
產品特性
試驗溫度 | 室溫~200℃（熱板形式加熱） |
老化測試區 | 8區(可擴容) |
單區工位 | 12（典型） |
試驗方法 | VDS =0V |
VGS電壓控制檢測 | 試驗控制范圍:±30V 檢測誤差:±(1%±2LSB);電壓分辨率:0.01V |
脈沖控制 | 1.脈沖頻率(方波): 0~500kHz; 精度: 2%±2LSB (最大頻率取決于電壓, DUT電容) 2.方波占空比20%~80%; 精度: ±2% 3.動態DGS試驗時柵極電壓斜率可達dv/dt>1V/ns (Ciss＜5nF) 4.電壓過沖<10% (測試電壓幅度大于25V) |
閥值電壓VGSTH | 1..VGS電壓測控范圍: 1~10V (100nA~50mA恒流源） 2.分辨率為0.01V, 精度: 1%±0.01V |
IGS漏電流檢測 | 檢測范圍: 1nA~99.9uA 第一檔1nA~99nA 分辨率1nA 漏電流測量誤差: 1%±2LSB 第二檔100nA~999nA 分辨率10nA 漏電流測量誤差: 1%±2LSB 第三檔1uA~99.9uA 分辨率100nA 漏電流測量誤差: 1%±2LSB |
整機供電 | 三相AC380V±38V |
整機重量 | 700Kg(典型) |
整機尺寸 | 800mm(w)x1400mm(D)x1950mm(H) |
適用標準
AEC-Q101 AQG324 JESD22-A108 JEDEC JEP183A
適用器件
適用于SiC、GaN、IGBT模塊、MOS管