點擊咨詢產品高溫反偏老化測試系統(HTRB3100)
該系統可進行室溫+10℃~+200℃的高溫反偏老化測試，老化過程中實時監測被測器件的漏電流狀態、被測器件的電壓狀態，并根據需要記錄老化試驗數據，導出試驗報表。
功能
- 使用熱平臺加熱方式對器件進行加熱
- 可實現每個器件獨立加熱平臺，獨立控溫
- 良好的熱傳遞特性，針對IGBT模塊/分立器件高溫高漏電特性，可實現175Tj情況下穩定的HTRB試驗
- 可定制獨立保護功能，實現單工位超限切斷
- 充分的實驗員人體安全考慮設定
產品特性
試驗熱平臺 | 32~48 |
試驗溫度 | 室溫+10℃~200℃ |
試驗區位 | 8個 |
老化電壓范圍 | -2000V~+2000V |
電壓檢測精度 | ±(1%+2LSB) |
電流檢測范圍 | 10nA~50mA |
電流檢測精度 | ±(1%+10nA) |
整機供電 | 三相AC380V±38V |
最大功率 | 24KW (典型) |
整機重量 | 1600Kg (典型) |
整機尺寸 | 左腔體: 1500mm(W) x 1400mm(D) x 1980mm(H) 右腔體: 1500mm(W) x 1400mm(D) x 1980mm(H) 控制柜: 600mm(W) x 1400mm(D) x 1980mm(H) |
適用標準
MIL-STD-750D AQG324
適用器件
適用于MOS管、二極管、三極管、IGBT模塊、PIM模塊、可控硅等