點擊咨詢產品功率器件動態老化系統(DHTOL2000)
該系統可對MOSFET器件及第三代SiC、GaN器件進行動態老化和測試，老化過程中實時監測被測器件的峰值電流、工作電壓、導通電阻，并根據需要記錄老化試驗數據，導出試驗報表。
功能
- 高頻動態電壓、電流老化
- 整機60s的全工位數據刷新
- 獨特保護電路，單位器件擊穿不影響其他工位老化進程
- 可定制區位老化電壓獨立控制功能，實現單工位老化超限剔除
產品特性
試驗溫區 | 1 個 |
試驗溫度 | 室溫 |
老化試驗區 | 32區(16/32區可選) |
單區工位數 | 20(典型) |
老化電壓范圍 | 0～650V、精度：±(2%+0.1V) |
電流檢測范圍 | 0～1A、精度：±(2%+0.05A) |
脈沖頻率 | 50KHz～200kHz、精度：1%±2LSB |
占空比 | 30%～70%、精度：2% |
導通電阻Rds(on) | 30mΩ~ 5Ω、精度：10% |
整機供電 | 三相AC380V±38V |
最大功率 | 25KW(典型) |
整機重量 | 1100KG(典型) |
整機尺寸 | 2075mm(W)×1350mm(D)×2020mm(H) |
適用標準
GJB128 MIL-STD-750D AEC-Q101 AQG324 JESD22
適用器件
適用于各種大中小功率MOSFET管器件及第三代SiC、GaN器件