點擊咨詢產品晶圓級可靠性測試系統(CWBS1000)
該系統適用于6/8寸晶圓級器件的可控高溫的帶電可靠性測試，基于JEDEC可靠性測試標準設計；提供高精度高電壓輸出，保存并且長期記錄高精度電流，可控溫度等參數，并根據記錄測試數據，導出實驗表格及MAP圖多格式選擇。
功能
- 定制化高溫調節半自動探針臺，支持≤5片晶圓同時老化測試
- 支持每個晶圓Die獨立保護功能，對過流過壓進行越限控制
- 支持氮氣保護防止晶圓氧化,充氣時支持過壓保護
- 支持更換老化板或探針卡不同封裝器件進行測試
- 支持晶圓安裝觸點到位檢測，支持實時溫度、壓力檢測
- 支持HTGB,HTRB等老化測試功能，Vth/Ids/Igs等參數的自動測試和數據分析
- 支持內置晶圓布局MAP配置,數據的實時展示和歷史數據的查詢
- 支持接入集控站(智慧護芯云)系統,定制化與MES系統對接
產品特性
試驗溫區 | 1(定制支持<5) |
試驗溫度 | 室溫~200°C |
適用產品 | GaN/SiC等6寸和8寸晶圓wafer |
多工位并行試驗 | 1(定制支持<5) |
溫度過沖 | <2°C |
柵極電壓范圍(精度) | ±60V(0.1%+10mV) |
柵極電流范圍(精度) | HTGB: 0.1nA~1uA(1%±100pA) |
源極電壓范圍(精度) | 50~2000V(0.5%*Vmax±1V) |
源極電流范圍(精度) | 1nA~1mA(1%±5nA) |
電壓電流過沖 | HTRB過沖<2%,HTGB過沖<200mV |
通信方式 | TCP網絡/485串口 |
操作系統 | Windows7及以上系列 |
MES系統接口 | 定制對接第三方系統和數據 |
整機重量 | 850Kg |
整機尺寸 | 2050mm(W)x1400mm(D)x1750mm(H) |
單腔體尺寸 | 1920mm(W)x1250mm(D)x 300mm(H) |
適用標準
AEC-Q101 JEP183 IEC60749-23 JESD22-A108F
適用器件
適用于GaN/SiC等晶圓wafer的高溫、高電壓可靠性測試；Vth、Igs、Ids等參數功能自動測試和數據分析